PCM от IBM — скорость нового формата памяти в 100 раз быстрее
IBM сообщила о своих новых разработках в области относительно нового формата памяти, известного как память с изменением фазового состояния (PCM). Существенное улучшение, которое было достигнуто исследователями позволяет создавать быструю и надёжную энергонезависимую память для различного спектра применения: от современных мобильных телефонов до промышленных центров хранения данных, уровня HP Z800, который по сегодняшним меркам обеспечивает феноменальную производительность. В следующие 5 лет PCM, по заявлению инженеров, может осуществить принципиальный сдвиг в технологиях хранения данных.
Компания обещает, что усовершенствованная память PCM сможет предоставить в 100 раз более высокую скорость записи и чтения в сравнении с широко применяемой сегодня флеш. Это позволит создавать компьютеры и серверы, загружающиеся мгновенно и функционирующие гораздо быстрее. В отличие от флеш, PCM также является гораздо более надёжным средством хранения данных, обеспечивая не менее 10 млн циклов записи на одну ячейку. Для сравнения, флеш-память гарантирует сегодня 30 тысяч циклов перезаписи.
PCM основана на особом сплаве, который может при нагревании принимать различные физические состояния, или фазы, посредством подающегося напряжения тока. Ранее технология страдала от непостоянства одной из фаз, что приводило к изменению сопротивлений на ячейках и появлению ошибок чтения. Второй проблемой было то, что каждая ячейка могла хранить лишь один бит данных.
Учёным IBM удалось не только преодолеть непостоянство фазового состояния сплава (созданный 90-нм образец чипа, включающий 200 тысяч ячеек, смог сохранять данные без электрического тока в течение 5 месяцев), но и записать на каждую ячейку по 4 бита данных. Кроме того, путём итеративного подбора импульса напряжения удалось достигнуть скорости записи в 10 микросекунд, что в 100 раз превосходит показатели флеш-памяти.
Развитие проекта IBM по исследованиям и разработкам PCM будет вестись в недавно открытом в Цюрихе нанотехнологическом центре Герда Биннига и Генриха Рорера. Остаётся вопрос, насколько готова технология для промышленного внедрения и действительно ли стоимость производства позволит использовать PCM в качестве замены заметно уступающей ей по характеристикам флеш-памяти.
